碳化硅納米材 料具有高的禁帶寬度 ，高的臨界擊穿電場和熱導率 ，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率 ，以及抗輻射能力強 ，機械性能好等特性 ，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材 料。碳化硅 納米線表現出的室溫光致發光性 ，使其成為制造藍光發光二極管和激光二極管的理想材 料。

  近年來的研究表明:微米級SiC晶須已被應用于增強陶瓷基、金屬基和聚合物基復合材 料 ，這些復合材 料均表現出良好的機械性能 ，可以想象用強度硬度更高及長徑比更大的碳化硅 一維納米材 料作為復合材 料的增強相 ，將會使其性能得到進一步增強。碳化硅一維納米材 料具有閾值場強低 ，電流密度大 ，高溫穩定性好等優異特點可望作為電場發射材 料 ，利用這一特性可制成第三代新型電子光源 ，并將在圖像顯示技術方面發揮巨大作用。隨著研究的深入 ，研究者還發現一維SiC納米結構在儲氫、光催化和傳感等領域都有廣泛的應用前景。

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