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    碳化硅陶瓷的基本特性

    文章出處:網責任編輯:作者:人氣:-發表時間:2020河北快三开奖结果-04-01 15:24:00【
      碳化硅陶瓷材 料具有高溫強度大、高溫抗氧化性強、耐磨損性能好、熱穩定性佳、熱膨脹系數小、熱導率大、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性 ,在汽車、機械化工、環境保護、空間技術、信息電子、能源等領域有著日益廣泛的應用 ,已經成為一種在很多工業領域性能優異的其他材 料不可替代的結構陶瓷。
     
    基本特性
    一、化學屬性
     
    1、抗化合性:碳化硅材 料在氧氣中反應達到1300℃時會生成二氧化硅保護層 ,抵制碳化硅繼續被化合。1900K是碳化硅在氧化劑氛圍下的最高工作氣溫。
     
    2、耐酸堿性:在耐酸、堿及化合物的效用方面 ,因 為二氧化硅保護膜的效用 ,碳化硅的抗酸能力非常非常強 ,抗堿性稍差。
     
    二、物理性能
     
    1、密度:各樣碳化硅晶形的顆粒密度十分相近 ,通常情況下 ,應該是3.20g/mm ,其碳化硅磨料的堆積密度在1.2--1.6g/mm之間 ,其高低取決于其粒度號、粒度合成和顆粒形狀的大小。
     
    2、硬度:碳化硅的硬度為:莫氏9.5級。單晶硅的硬度為:莫氏7級。多晶硅的硬度為:莫氏7級。都是硬度相對較高的物料。努普硬度為2670—2815公斤/毫米 ,在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。
            
    3、導熱率:碳化硅制品的導熱率非常高 ,熱膨脹參數小 ,抗熱震性非常高 ,是優質的耐火材 料。
     
    三、電學屬性
            
    恒溫下工業碳化硅是一種半導體 ,屬雜質導電性。高純度碳化硅隨著氣溫的升高內阻率降低 ,含雜質碳化硅按照其含雜質不一樣 ,導電性能也不一樣。
     
    四、其它屬性
           
    1、親水性好。
     
    2、在電性能方面,SiC具有半導體特性,少量雜質的引入會使其表現出良好的導電性。
     
    3、優良的導熱性。

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