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    碳化硅
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    碳化硅在功率器件領域的應用

    文章出處:原創網責任編輯:胡尊芳作者:王彤人氣:-發表時間:2017-05-20 16:39:00

      碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。由碳化硅制成的肖特基二極管及MOS場效應晶體管,與相同耐壓的硅器件相比,其漂移電阻區的厚度薄了一個數量級。其雜質濃度可為硅的2個數量級。由此,碳化硅器件的單位面 積的阻抗僅為硅器件的100分之一。它的漂移電阻幾乎就等于器件的全部電阻。因 而碳化硅器件的發熱量極低。這有助于減少傳導和開關損耗 ,工作頻率一般也要比硅器件高10倍以上  。此外 ,碳化硅半導體還有的固有的強抗輻射能力。

      近年利用碳化硅材 料制作的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)等功率器件,已可采用少子注入等工藝,使其通態阻抗減為通常硅器件的十分之一。再加上  碳化硅器件本身發熱量小,因 而碳化硅器件的導熱性能極優。還有,碳化硅功率器件可在400℃的高溫下正常工作。其可利用體積微小的器件控制很大的電流。工作電壓也高得多。        
    此文關鍵字:碳化硅

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